雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的常用測試，通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能，獲得穩(wěn)態(tài)和動態(tài)過程中的主要參數(shù)，更好的評估器件性能，優(yōu)化驅(qū)動設計等等。

       雖然功率半導體器件的手冊上會有參數(shù)標注，但這些參數(shù)都是在標準測試條件下得到的。使用IGBT或者MOSFET做逆變器的工程師如果不加以測試，而直接在標定的工況下跑看能否達到設計的功率，無法全面了解器件性能，進而影響產(chǎn)品長期可靠性。又或者設計裕量過大帶來成本增加，使得產(chǎn)品的市場競爭力下降。

      如果能在設計研發(fā)階段，精準地了解器件的開關(guān)性能，將對整個產(chǎn)品的優(yōu)化帶來極大的好處。比如能在不同的電壓、電流和溫度下獲得開關(guān)損耗，給系統(tǒng)仿真提供可靠的數(shù)據(jù);又比如可以通過觀察波形振蕩情況來選擇合適的門極電阻。

      ITECH作為功率半導體測試領(lǐng)域的供應商，為雙脈沖測試提供多種先進電源產(chǎn)品。

一、雙脈沖測試平臺

雙脈沖測試設備:

1、高壓電源

2、電容組

3、負載電感

4、示波器

5、高壓差分電壓探頭(1000:1)/脈沖電壓探頭

6、脈沖電流探頭

7、可編程信號發(fā)生器

二、雙脈沖測試流程:

第一步：

（1）在t0時刻，被測IGBT的門極接收到第 一個脈沖，被測IGBT導通，母線電壓U加在負載電感L上，電感上的電流線性上升，I=U*t/L；   

（2）IGBT關(guān)斷前的t1時刻，電感電流的數(shù)值由U和L決定；在U和L都確定時，電流的數(shù)值由IGBT開啟的脈寬T1決定，開啟時間越長，電流越大；

（3）執(zhí)行點：通過改變脈沖寬度的大小，自主設定電流的數(shù)值。

第二步：

（1）t1到t2之間，IGBT關(guān)斷，此時負載的電流L的電流由上管二極管續(xù)流，該電流緩慢衰減； 

（2）t1時刻，IGBT關(guān)斷，因為母線雜散電感Ls的存在，會產(chǎn)生一定的電壓尖峰；

（3）關(guān)注點：在該時刻，重點是觀察IGBT的關(guān)斷過程，電壓尖峰是重要的監(jiān)控對象。

第三步

（1）在t2時刻，被測IGBT 再次導通，續(xù)流二極管進入反向恢復狀態(tài)，反向恢復電流會穿過IGBT，此時脈沖電流探頭所測得的Ic為FRD反向電流與電感電流疊加，產(chǎn)生電流尖峰； 

（2）重點觀察：IGBT的開通過程，電流峰值是重要的監(jiān)控對象，同時應注意觀察柵極波形是否存在震蕩現(xiàn)象。

第四步

（1）在t3時刻，被測IGBT再次關(guān)斷，與第 一次關(guān)斷相同，因為母線雜散電感Ls的存在，會產(chǎn)生一定的電壓尖峰；

（2）重點觀察：關(guān)斷之后電壓和電流是否存在不合適的震蕩。

三、通過雙脈沖測試我們可以得到什么?

（1）獲取ICRM(MAX峰值電流)IRBSOA(MAX關(guān)斷電流)

（2）測量主電路雜散電感：Us=Ls*di/dt

（3）評估續(xù)流二極管的風險

四、雙脈沖測試中的電流源

      隨著功率半導體技術(shù)的發(fā)展，IGBT、MOSFET、BJT等半導體器件向小型化、集成化、大功率方向發(fā)展。為了避免大功率測試過程中溫升對測試造成影響、甚至燒壞器件。在法規(guī)和行業(yè)測試中，通常會給被測器件施加滿足功率條件下的瞬時電流脈沖,進行半導體器件相關(guān)參數(shù)測試。

五、電容儲能式脈沖電流源

      脈沖恒流源以儲能電容放電的方式發(fā)生電流脈沖。從功能實現(xiàn)角度分析，脈沖電源的工作電路由以下兩個基本回路組成;

（1）電容充電電路：直流源通過限流電阻R給超 級電容充電;

（2）脈沖放電電流：超 級電容C通過開關(guān)管對負載RL放電;

（3）脈沖電流幅值：電容C充電壓控制和電阻RL決定;

（4）脈沖寬度：開關(guān)時間t決定；

六、電容充電：

      根據(jù)超 級電容的特性，充電電源應具備寬范圍輸出能力，可實現(xiàn)如下功能：

1、電壓高速建立并維持穩(wěn)定；

2、電流高速上升、無明顯過沖.

     優(yōu)測科技提供專業(yè)可靠的測試測量儀器的設備，打破傳統(tǒng)的測試解決方案將幫助您更快速的達到創(chuàng)新目標，可定制電流、電壓、功率等核心參數(shù)，為半導體IC領(lǐng)域客戶創(chuàng)造更多價值。